杨汉朋

出处：按学科分类—历史、地理 广东人民出版社《中国专家大辞典·广东卷》第668页（847字）

【介绍】：

高级工程师。

男，1940年3月出生，广东惠阳人。惠州市技术监督局副总工程师。

成都电讯工程学院毕业。

主要贡献：1974年研究成功"金属剥离技术"获部队三等功。

主持研究的成果：cx30型si-MoSFET、cx31型si-MoSFET、cx32型si-MoSFET和₄₀₀MHZsi-MoSFET作为低噪声晶体管系列，获1978年全国科学大会奖；₁₂GHZ低噪声GaAMESFET获1979年国防科委颁发的重大技术改造成果二等奖；c-x波段双栅GaAsMESFET获1980年第四机械工业部优秀科技成果奖；cx55型₁₈GHZGaAsMESFET获1982年电子工业部科技成果一等奖；cx571型微波低噪声GaASMESFET获1983年电子工业部科技成果一等奖；cx581型微波低噪声GaAsMESFET获1984年电子工业部科技成果二等奖；cx591型微波低噪声GaAsMESFET获1985年电子工业部科技成果进步奖一等奖；低噪声GaAsMESFET系列获1985年国家科学技术进步奖一等奖；GJF354型长波PIN-FET光接收模块获1985年电子工业部科技进步奖三等奖；cx681型低噪声GaAsMESFET获1988年机械电子工业部科技进步奖二等奖；cx502N、cx503型低噪声GaAsmesfet以及GQ－501型低噪声HEMT通过部级鉴定。被评为惠州市优秀专家、科技拔尖人才。

主要着述：《用于制作GaAsMESFET的金属剥离技术》、《用于制作亚微米栅GaAsMESFET的剥离技术》、《用于微波GaAsMESFET的表面钝化介质的研究》、《cx571型超低噪音GaAsMESFET的设计研究兼报告》、《用于微波混合集成电路的18GHZGaAsMESFET芯片器件的研究》、《4GHZ超低噪声GaAsMESFET》。