邹世昌

出处：按学科分类—历史、地理 广东人民出版社《中国专家大辞典·广东卷》第40页（481字）

【介绍】：

技术科学部学部委员。

材料科学家。男，1931年7月出生，江苏太仓人。

中国科学院上海冶金研究所研究员。

1952年唐山交通大学冶金工程系毕业，1958年获前苏联莫斯科有色金属学院副博士学位。

主要贡献：在国防重点任务研制甲种薄膜项目中负责加工成形部分工作，获国家发明一等奖(排名第二)。在离子束材料改性、合成、加工和分析等方面进行了系统的研究工作，先后在国内外发表论文114篇。

研究离子注入损伤及退火行为，提出了用二氧化碳激光从背面照射进行退火及合金化的新方法。用全离子注入技术研制成我国第一块120门砷化镓门阵列电路。合成了SOI材料和新型CMOS／SOI电路。在溅射、损伤和貌相变化等研究的基础上，用反应离子束微细加工闪耀全息光栅，是光栅制造技术的重大突破。发展了离子束增强沉积并合成了氮化硅、氧化钛薄膜。开展了高分子材料离子束表面改性的研究。

获国家科技进步三等奖一次。被推选为国际上离子束领域两个主要学术会议国际委员会委员。

(1992年新增学部委员)