T005892　MOS集成电路

出处：按学科分类—综合性图书 湖北人民出版社《中国图书大辞典：1949-1992第15册工业技术(上)》第608页（466字）

吴雪方编。

上海科学技术出版社1986年6月版。28．4万字。中等专业学校教材。以硅平面工艺为基础，介绍金属－氧化物－半导体(MOS)场效应晶体管工艺基本原理。

MOS集成电路是现代科学技术转换为生产力的重要标志，对于操纵现代设备的技术工人和管理人员，必须知道有关知识，理解其生产工艺。本教材从生产工艺角度介绍MOS集成电路的基本原理。

分6章。第一章MOS晶体管的原理与特性，阐明MOS场效应晶体管的结构、工作原理及主要参数。

由于晶体管几乎是MOS电路中的唯一元件，MOS集成电路分析和设计都是建立在MOS晶体管的基础上，所以本章是全书的基础。第二章叙述MOS倒相器和门电路，比较详细地阐明E／E MOS、E／D MOS及C MOS倒相器的工作原理和特性。第三章以倒相器为基础，介绍各种MOS触发器、加法器、译码器、计数器及移位寄存器。第四章大规模集成电路，主要介绍MOS随机存取存贮器和只读存贮器。

第五章为电路设计和布图。第六章以PMOS常规工艺为主线，介绍各种MOS工艺和新技术。