半导体分立器件型号命名方法

出处：按学科分类—工业技术 南京大学出版社《工程师实用手册》第530页（4125字）

由于半导体分立器件型号命名方法世界各国并不统一，现简要介绍如下：

(一)中国

1．主要内容

中国半导体分立器件的型号命名采用国家标准GB249－74《半导体器件型号命名方法》。该标准规定半导体器件的型号由五个部分组成，其各部分的含义如下：

第一部分：用阿拉伯数字表示器件的电极数目；

第二部分：用汉语拼音字母表示器件的材料和极性；

第三部分：用汉语拼音字母表示器件的类型；

第四部分：用阿拉伯数字表示序号；

第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。

以上五个部分所用符号及其含义见表15－1。

表15－1 半导体器件型号组成部分的符号及其意义

2．说明

场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号只有第三、第四、第五部分。

3．应用举例

1)锗PNP型高频小功率三极管

(二)苏联

1．概述

目前苏联半导体器件型号命名方法使用的是苏联国家标准(TOCT)10862－72命名法。它的特点是命名方法比较合理和确切，一般根据半导体分立器件的型号就能了解其基本特性。

2．符号及其含义(表15－2)

表15－2 苏联(原)半导体器件命名法

3．附加说明(表15－3)

表15－3 器件的基本参数分类

(1)表15－3中有关三极管特性的分类标准为：按集电极最大耗散功率P_CM的大小划分为小、中、大功率管。

PCM≤0．3W为小功率管；

0．3＜P_CM≤1．5W为中功率管；

P_CM＞1．5W为大功率管。

按特征频率f_r的高低划分为低、中、高、特高频管。

f_T≤3MH_z为低频管；

3＜f_T≤30MHz为中频管；

30＜f_r≤300MHz为高频管；

fr＞300MHz为特高频管。

(2)表中开关二极管的反向恢复时间τ_恢复是指二极管由正向导通状态急剧转变到截止状态所需的时间。

(3)表15－3有关整流器件与可控硅的分类标准为：按额定正向整流电流的平均值(I_F)划分为小功率管与中功率管：

I_F≤0．3A为小功率管：

0．3＜I_F≤10A为中功率管；

I_F＞10A的大功率管不按此标准命名。

(4)表中稳压二极管按其最大耗散功率P_zM划分为小、中、大功率管：

P_zM≤0．3W为小功率管；

0．3＜P_zM≤5W为中功率管；

P_zM＞5W为大功率管。

(5)表15－3中发光器件的亮度单位为尼特(Nit)。

4．应用举例

(三)美国

由于美国工业生产各自为政，因而半导体器件型号命名方法亦很混乱。后来美国联合电子器件工程委员会(J．E．D．E．C)制定了一种标准型号，现被许多厂家采用。其中二极管、三极管及四极管型号组成部分的符号及意义见表15－4。

表15－4 美国二极管、三极管、四极管型号组成部分的符号及其意义

(四)日本

日本半导体器件型号命名方法是由日本中央电气协会(CES)统一制定的，共有五个部分组成，其排列顺序见表15－5。

表15－5日本半导体器件型号排列顺序

第一部分：数字0为光电晶体管及光电二极管，数字1为二极管，数字2为晶体三极管及控制整流器件。

第二部分：拉丁字母，通常为S(semiconductor)表示半导体器件。

第三部分：拉丁字母用以表示晶体管的结构和类型。各字母意义如下：

A——高频PNP型三极管及快速开关三极管；

B——低频及大功率PNP三极管；

C——高频及快速开关NPN三极管；

D——低频及大功率NPN三极管。加注fα＞5MHz者作为高频，若PC大于1W，即作为大功率；

F——P型闸选PNPN开关管；

G——N型闸选NPNP开关管；

H——专用晶体管。

第四部分：数字，2～3位表示工厂产品注册登记顺序号。自11往上累加。

第五部分：拉丁字母，作为辅助标记，表示同一种型号的晶体管改进型。

根据上述命名法，可容易地识别日本半导体产品型号。例如2SA53为高频PNP型三极管，2SB77C则表示低频PNP型三极管2SB77的改进型，1S92表示半导体二极管。

(五)国际电子联合会

1．主要内容

目前，参加欧洲共同市场的德国、法国、意大利、荷兰等国家和一些东欧国家，如匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等，其半导体器件型号命名使用的是国际电子联合会的标准半导体分立器件型号命名方法。该方法规定半导体器件型号由四个基本部分组成。这四个基本部分的符号及其意义见表15－7。除基本组成部分外，为进一步标明半导体器件的特性，或对器件进一步分类，有时还加有后缀。按规定后缀用破折号与基本部分分开。常用的后缀有以下几种：

(1)稳压二极管型号后缀的第一部分是一个字母，用来表示器件标称稳定电压值的容许误差范围。字母及其代表意义见表15－6。

表15－6 国际电子联合会半导体器件型号后缀的符号及其意义

表15－7 欧洲半导体器件命名法

后缀的第二部分是数字，通常表示稳压二极管的标称稳压电压的整数数值。后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数数值。

(2)整流二极管型号的后缀是数字，直接标出器件的最大反向电压值，单位是V。

(3)可控硅型号的后缀也是数字，通常标出其最大反向电压和最大反向开断电压中数值较小的电压值。

2．应用举例：

3．附加说明

(1)国际电子联合会的标准半导体分立器件型号命名方法主要为欧洲各国所采用，因此有时又称为欧洲半导体器件命名法。

(2)根据型号无法判别是PNP管还是NPN管，这点与我国半导体器件命名法不同，应特别注意。