低成本电化学合成高分子量聚锗烷

出处：按学科分类—工业技术 上海科学技术文献出版社《化学配方与工艺手册》第1132页（336字）

高分子量聚锗烷制自电化学聚合(R₂Ge)mX₂，以镁或镁合金作为阳极，锂盐作为阴极；以非质子溶剂作为电解质。先制成卤素为端部的聚锗烷，再添加RGeX₃，和／或GeX₄，使混合物聚合，从而可以低成本地制得高分子量聚锗烷。

例如，使C1₂Ge·C₄H₉·C₆H₅在四氢呋喃中电化学聚合，以氯化锂为阴极，镁为阳极。聚合产品的重均分子量为5200。

添加C₆H₅GeCl₃，再使混合物聚合得聚锗烷，其重均分子量为15300。此聚锗烷可用于电子工业。

(日本特许公开07－316304)