磁路基本定律

出处：按学科分类—工业技术 北京出版社《现代综合机械设计手册下》第2640页（502字）

磁通是由磁路中的磁动势(磁通势)产生的，它们间的关系可用磁路的欧姆定律表示为

式中 F_m为磁动势，单位为A；R_m为磁阻，单位为1／亨，以符号H^－1表示。

磁阻可由下式表示，即

式中 L为磁路的长度，S为磁性材料的截面积，μ为磁导率。该式表明，磁阻的大小取决于磁路的几何尺寸及磁性材料的性质。

磁路的克希荷夫第一定律：磁路中的任一闭合面，磁通的代数和等于零。即

该式为磁通连续性原理的体现。

磁路的克希荷夫第二定律：任一闭合磁路，磁压降的代数和等于磁动势的代数和。即

∑Hl=∑F_m

式中 ∑Hl为磁压降的代数和；∑F_m为磁动势的代数和。该式为安培环路定律的应用。