晶体的外延生长法

出处：按学科分类—自然科学总论 山东人民出版社《方法大辞典》第271页（337字）

适当的外延能有效地解决半导体器件制造中所面临的多种矛盾。

外延就是在一定的条件下，在一块经过仔细制备的单晶衬底片上，沿其原来的结晶轴方向，生长一层导电类型、电阻率、厚度及晶格结构完整性都满足要求的新单晶层称为外延层。各生长的外延层与衬底材料相同称为同质外延，若生长的外延层在结构或性质上与衬底材料不同，则称为异质外延。

外延又可归纳为直接生长法和间接生长法两类。

直接生长法是不经过中间化学反应，从源直接转移到衬底上形成外延层，如分子束外延。间接生长法中，生长外延层所需的原子或分子是由含其组元的化合物(如四氯化硅，三氯化砷等)通过还原、热分解等反应得到。此法有设备简单，参数易控制、重复性好等优点，因而在工业生产上被广泛采用。