晶体生长阶段

出处：按学科分类—工业技术 中国轻工业出版社《制盐工业手册》第308页（869字）

晶体从水溶液中生长，一般可分为如下两个主要阶段：

(一)第一阶段

是结晶物质向生长界面的扩散过程。受扩散速率控制时的晶体生长速率(G_M)为．

式中 G_M——晶体的生长速率〔kg／(m²·h)〕

A——晶体表面积(m²)

c——溶液主体浓度(kg／m³)

c₁——生长界面层浓度(kg／m³)

——扩散传质系数

D_L——结晶物质在溶液中的扩散系数

δ——生长界面外溶液扩散层厚度

(二)第二阶段

是聚集在生长界面的结晶物质进入晶格座位的反应过程。受反应速率控制时的晶体生长速率为：

式中 c₀——结晶溶液的饱和浓度(kg／m³)

K_r——表面反应速度系数

(三)生长恒稳态

当晶体生长处于恒稳态时，结晶物质的扩散速率和反应速率相等，因此(2－5－14)、(2－5－15)两式中的G_M值相等，合并两式可得：

式中 K_G——晶体生长总系数，或称供应系数

(c—c₀)——即⊿c，是作为总推动力的总浓度差——过饱和度