结型场效应管
出处:按学科分类—工业技术 北京出版社《现代综合机械设计手册下》第2729页(1863字)
结型场效应管利用的是半导体内的电场效应。故也称体内场效应器件。结型场效应管有N沟道结型和P沟道结型两类。图8.3-14所示为N沟道结型场效应管的结构示意图。它是在N型半导体材料两边扩散高浓度的P+区,形成两个PN结。两个P型区连接在一起并引出的电极,称为栅极G;在N型半导体材料两端引出的电极,分别称为源极S和漏极D。两个PN结间的N型区域,称为导电沟道。N沟道结型场效应管的代表符号见图b),其中箭头方向表示栅极正向偏置时栅极电流的实际方向。
图8.3-14 结型场效应管的结构和符号
如果在P型半导体材料的两边分别扩散一N型半导体高浓度的N型区,则可构成P沟道结型场效应管,其代表符号见图c)。
在N沟道结型场效应管漏源极间加正向电压UDD,则N型半导体中的多数载流子就形成漏极电流iD,如图8.3-15所示。在一定的漏源电压UDs下,漏极电流的大小由沟道电阻决定,而沟道电阻的大小又与沟通的宽度成正比。改变导电沟道的宽度,可以通过改变PN结耗尽层的宽度来实现。为此,在栅源之间加反向电压UG,通过改变栅源负电压的大小来控制耗尽层的宽度,也就是控制导电沟道的宽度和沟道电阻的大小,便可达到控制漏极电流的目的。这种利用电场控制半导体中电流的效应称为场效应。显然,如果在UDD和UG不变的情况下,在栅源电路引入小的交流输入信号ui,则栅极电流iD就会随uI作相应的变化,并在漏极电阻RD两端得到较大的输出电压,实现电压放大的作用。
图8.3-15 结型场效应管工作原理
栅极电压对P沟道结型场效应管的影响和P沟道结型场效应管的放大原理,均与N沟道结型场效应管相同。但P沟道器件的UDD和UG应与N沟道器件的极性相反,相应的漏极电流方向也相反。
结型场效应管的特性曲线如图8.3-16所示。其中图a)为输出特性,它表示栅源电压uGs一定时,漏极电流iD与漏源电压uDs之间的关系。输出特性可分为Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三个区。Ⅰ区和Ⅱ区的分界线是预夹断点的轨迹。在Ⅰ区内,当UGs不变时,曲线上升部分基本上是通过原点的一条直线,此时可将结型场效应管看成电阻,故称该区为可变电阻区。在Ⅱ区内,曲线趋于水平,漏极电流基本不变,可以看成是恒流区,是场效应管的放大工作区。如果继续增大UDs,超过反向偏置的PN结所能承受的极限电压,这时iD会突然增大,发生击穿现象而损坏。因此,Ⅲ区称为击穿区。图b)所示是UDs=10V时的转移特性,它表示在漏源电压uDs恒定时,漏极电流iD同栅源电压uGs间的关系。转移特性可以直接从输出特性求出。改变uDs,可得一族转移特性曲线。但实际上,在uDs大于一定数值后,不同uDs的转移特性曲线很接近,可以认为是重合的一条曲线。通过实验表明,在恒流区内,iD随uGs的增加近似按平方规律上升,即
图8.3-16 结型场效应管的特性
a)输出特性 b)转移特性
结型场效应管的主要参数及其意义如下:
夹断电压UP——当uDs为某一固定值(如10V),使iD≈0时,栅源之间所加的电压。
饱和漏电流IDss——在uGs=0时,当uDs>|UP|时的漏极电流。
最大漏源电压BUDs——发生雪崩击穿时iD开始急剧上升时的uDs值。
直流输入电阻RGs——在漏源短路的条件下,栅源之间所加电压与栅极电流之比。
低频互导(跨导)gm——在uDs=常数时,漏极电流的微变量和引起这一变化的栅源电压的微变量之比。
最大耗散功率PDM——场效应管的耗散功率等于uDs和iD的乘积,该乘积应小于或等于PDM。