初级非均相成核(非自发成核)

出处：按学科分类—工业技术 中国轻工业出版社《制盐工业手册》第305页（1187字）

(一)非自发成核

体系内已经存在某种不均匀性——外来的微粒等，使体系内各个部分成核的机率不同，在一定程度上降低了成核的能量势垒，使晶核可在比均相成核低得多的过饱和度下生成。凡能有效地降低成核能量势垒、促进成核作用的物质，谓之成核催化剂。

氯化钠的非自发成核有几种情况：氯化钠的晶体颗粒(盐种)；与氯化钠构造相近的其他物质的晶体微粒；可成为氯化钠成核催化剂的其他物质。

(二)成核速率计算式

式中 E_sa——非均相成核所需表观界面能(erg／cm²)。计算中，当S－1值很小时，数学上可将lnS近似地取S－1=σ(相对过饱和度)。

(三)由能量关系可决定是否成为依附晶核

若依附外来种子为晶核时，其能量起伏为：

式中 S₁——新相晶核与液相间的表面积(cm²)

S₂——新相晶核与外来种子间的表面积(cm²)

δ₁——新相晶核与液相界面上的表面张力(N／m)

δ₂——外来种子与新相间界面上的表面张力(N／m)

只有当⊿F＜⊿F_自发成核时，才有可能在外来种子的现成界面上生长，也只有当δ₂＜δ₁时，才能满足⊿F＜⊿F_自发成核，因此：

δ₂＜δ₁时，新相晶核易在现成的界面上生长。

δ₂＞δ₁时，外来种子根本不起基底(盐种)作用。

(四)在海盐生产上的应用

滩晒短期结晶，因结晶卤水不深，扒盐时要留大碴、均碴、白净、不露池板，Na⁺、C1^－可直接依附盐碴生长，降低卤水过饱和度，减少自发成核表面结晶，有利于生长大粒盐，提高盐质；深卤长期结晶，除控制自发成核外，也要防止悬浮物、不溶物进入池内，保证结晶卤水清洁，利于池底长盐，提高盐质；水不溶性杂质附于晶体表面，能阻碍Na⁺、Cl^－依附盐碴成长，促使卤水过饱和度增加，易在卤水表面漂花结晶，形成片盐、细盐，降低盐质；滩晒精细盐时，为提高盐质，保证粒细、均匀、白净，除采取打花、盐操作外，扒盐要收净，留下的盐粒，下次灌池结晶前应全部化掉。